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IMECはケイ素のPhotonicsの有価証券を、目標とする次世代のデータ センタの結合を拡大する

June 19, 2019

最新の会社ニュース IMECはケイ素のPhotonicsの有価証券を、目標とする次世代のデータ センタの結合を拡大する

IMECはケイ素のPhotonicsの有価証券を、目標とする次世代のデータ センタの結合を拡大する

企業のニュース

20190619

 

概要:ゲント大学のImecの研究所のIDLabおよびPhotonicsの研究グループと共同する革新のためのECOC2019、IMEC、世界の一流のnanoelectronicsおよびデジタル テクノロジーの研究および中心の間に、共同でケイ素の光通信の(SiPho)技術の研究の重要な達成のマイル標石を解放した。示された構造の建築は未来のデータ センタのデータ伝送のための主要な技術である400 GB/s、高速オプティカル リンクおよび共同包まれた光学装置と次世代のデータ センタに達成可能な道を転換する提供する。この達成のハイライトは下記のものを含んでいる:TSV助けられた、高密度(Tbps/mm2) CMOSSiPho光学トランシーバー プロトタイプ、ローパワー106Gb/s PAM4 SiPhoの送信機、高速ゲルマニウム/ケイ素APD、および超ワイドバンドの低損失の単モード繊維のカプラー。

 

ICCSZはゲント大学のImecの研究所のIDLabおよびPhotonicsの研究グループと共同する革新のためのECOC2019、IMEC、世界の一流のnanoelectronicsおよびデジタル テクノロジーの研究および中心の間に、共同でケイ素の光通信の(SiPho)技術の研究の重要な達成のマイル標石を解放したことを報告する。示された構造の建築は未来のデータ センタのデータ伝送のための主要な技術である400 GB/s、高速オプティカル リンクおよび共同包まれた光学部品と次世代のデータ センタに達成可能な道を転換する提供する。この達成のハイライトは下記のものを含んでいる:TSV助けられた、高密度(Tbps/mm2) CMOSSiPho光学トランシーバー プロトタイプ、ローパワー106Gb/s PAM4 SiPhoの送信機、高速ゲルマニウム/ケイ素APD、および超ワイドバンドの低損失の単モード繊維のカプラー。

 

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言うまでもなく、インターネットの急激な増加および関連の適用は支持できる成長の性能、低い電力の消費およびより小さいスペースを達成するために光学結合の技術のデータ センタの配置を促進した。次の5年では、データ センタのオプティカル リンクの容量は400Gb/sに4つの100Gb/s PAM4チャネルを多重型にすることによって改善される。その結果単一のデータ センタ スイッチがプロセスに必要とすること、総帯域幅は51.2 Tb/sのそれに超高密度のケイ素の光通信のトランシーバーの技術および非常に統合された、一般に包まれたスイッチCMOS破片が装備されている必要がある達する。

 

これらの挑戦的で、普遍的な条件を満たすために企業を助けるためにはIMECおよびゲント大学の研究所は建築を造るように200mmおよび300mmのウエファーに高速電子工学を注入するのにIMECのケイ素のphotonicsのプラットホームを使用する主要な技術を開発している。

 

光学入力/出力工学ディレクター ヨリス ヴァンCampenhoutは、Imecコメントした:「私達のR & Dシステムはケイ素のphotonicsの技術の異なったレベルの支持できる改善を、かどうかプロセス統合、個々の装置、またはサブモジュールのレベル達成した。私達は企業と私達の研究の進歩を共有して喜んでであり、ECOCの大学およびヨーロッパのコミュニケーション工業を助け続けることに先に見るためにか他の地域は次世代の光学結合の技術の主挑戦を」受けるためによくする。

 

EOCOの間のImecの表示のハイライトの1つは企業の最初雑種のFinFET CMOS/ケイ素の40Gb/s.のレートでNRZ調節および作動を使用するTSVの援助の光通信のトランシーバーの技術である。プロトタイプはultra-dense共同包まれた光学装置によって未来のデータ センタに実施の方法を提供する超低いパワー消費量で印象的な帯域幅密度(1Tbps/mm2)を転換する達成する。

 

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Imecおよびゲント大学はまた106Gb/sをPAM4調節フォーマットを使用する光トランスミッタ示した。この4段階の調節フォーマットは企業によって広く近年採用されてしまった。それは超500メートルの間隔のシナリオのために53GBd単一チャネル伝達として使用される。他のPAM4光トランスミッタと比較されて、IMECの解決は同等の方法かデジタル信号処理を要求しない。それは2つの平行GeSiのエレクトロ吸収の変調器を統合し、結果は最も密集しているおよびローパワーである(1.5pJ/b) 1km上の単一モジュール繊維の106 GB/sでデータを送信できる光トランスミッタ。

 

同時に、Imecはまた雑種Si/罪のphotonicsのに基づいて最大限に活用された端のカプラーの設計を、プラットホーム示した。業界標準の単モード繊維と比較されて、この革新は層の積み重ねによりよい性能を提供し、Oで作動し、Cバンドは、単一繊維の連結の効率1.5dBである。受電端に、Imecは40Gb/sおよび高い比率で受信機の感受性およびオプティカル リンク予算の改良で重要な潜在性を示す8つそして32のGHzの帯域幅の増加された利益の高速GE/Siのなだれのフォトディテクター(APDs)導入した。

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